傾佳電子-專業功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷商，致力于服務中國工業電源及新能源汽車制造商。相較傳統汽車，新能源汽車在電驅動單元、電氣設備的數量上都有較大的增加，內部動力電流及信息電流錯綜復雜，特別是高電流、高電壓的電驅動系統對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對連接器產品需求量及質量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其**的元部件，整車、充電設施上均有應用。整車上高壓連接器主要應用場景有：DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調、交流充電口等。在電動汽車中，碳化硅功率器件的應用主要為兩個方向，一個用于電機驅動逆變器（電機控制器），另一個用于車載電源系統，主要包括：電源轉換系統（車載DC/DC）、車載充電系統（OBC）、車載空調系統（PTC和空壓機）等方面。

脫碳已經成為全球的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發電逐漸成為矚目的焦點，傾佳電子持續提供高品質功率半導體新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發電，工商業儲能變流器，電動汽車電機主驅，光伏逆變器，儲能變流器PCS，工業電源等領域與客戶深入合作，持續服務客戶的供應鏈及新產品開發，全力支持中國新能源汽車及電力電子工業發展！

近年來，傾佳電子-著力推廣國產碳化硅SiC功率器件，國產SiC-MOSFET，國產SiC-MOSFET功率模塊，國產氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅動IC，自舉驅動IC,不斷在高壓汽車電驅系統、高壓快充樁、消費電子適配器，數據中心、通訊基站電源、新型電力系統等領域拓展市場。除了車載應用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業的UPS系統（不間斷電源）、軌道交通等領域推出。傾佳電子-專業功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領域，在功率器件方面發揮**作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術的主要發展趨勢，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結溫特性、高頻特性要求，也對現有封裝技術提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導通損耗和開關損耗方面的卓越性能，可以大大降低電力電子方面應用的能耗。

隨著汽車越來越智能化，對于連接器在未來的智能汽車上，絕不會僅僅作為一個電連接點進行傳輸，這個和傳統汽車會有非常本質上的區別， 未來的連接器有可能會變成模塊化，其功能會隨著不同的汽車部位應用場景，功能也會有所不同；同時智能駕駛的出現會讓連接對于傳輸的穩定性變成強制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會提到更高一個要求等級；傾佳電子-專業代理的汽車智能互聯連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導電源技術轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導通損耗和碳排放。在整個能源轉換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動電力電子器件提**率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應用場景中為能效提升作出貢獻。

智能駕駛系統需要將超聲波雷達、毫米波雷達、攝像頭、激光雷達、網關、VCU、天線、GPS、5G 通信等進行互連。隨著高級別ADAS的滲透率快速提升，車載傳感器用量增加，數據傳輸要求(高速高頻大數據量)相應提高，智能網聯連接器使用量也隨之增長。換電連接器有望成為行業標配，一方面因為換電模式電動車滲透率的提升，另一方面對于非換電模式的電動車廠家采用換電方案將實現車電分離，有利于后期電池的升級、維護和回收。未來大量電動車電池淘汰后，有望進入儲能領域進行二次利用，建立統一的連接器接口標準成為行業的重點。非補能形式的換電方案的車型將越來越多，未來成為行業標配。

為了提高補能效率，大功率快充成為各車企的研發重點。相較于400V架構，切換800V架構能夠使充電時間減少一半。從400V增至 800V對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求，其在機械性能、電氣性能、環境性能三方面均將持續提升。升壓后，高壓連接器將重新選型，增加大功率快充接口及400V到800V的轉化接口，帶動高壓連接器單車價值量上升。要構建800V高壓平臺，碳化硅功率器件是關鍵。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有出色的耐高壓性能，并能有效提高系統的整體效率，達到5%至10%的增幅——即同等電池容量，配備碳化硅器件的汽車續航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10，因而它還能降低電驅系統的體積和重量，從而釋放更多車輛內部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但會看到整個電機驅動器系統的價格下降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個應用系統之間進行復雜的設計和成本研究分析，但可能會提**率并節省成本。

新能源汽車三電內部動力電流及信息電流錯綜復雜，同時又因汽車領域特殊的**性要求，對連接器性能側重點為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且需要具備機械壽命長、抗振動沖擊等長期處于動態工作環境中的良好機械性能。

基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著延長電動汽車續航里程并將充電時間縮短一半。在全球汽車電動化的浪潮下，汽車半導體領域的功率電子器件作為汽車電動化的核心部件，成為了車企和電機控制器Tire 1企業關注的熱點。車用功率模塊已從硅基IGBT為主的時代，開始逐步進入以碳化硅MOSFET為核心的發展階段。在電機控制器中用碳化硅MOS替換硅基IGBT后，會獲得電機控制器的效率的提升，NEDC工況下，對電池續航的貢獻提升在3%-8%之間，所以電控應用對碳化硅器件的需求*為迫切。同時，在國內新能源汽車市場大力推進適應高壓快充技術的高壓平臺上，硅基IGBT應對起來就非常吃力，取而代之的是碳化硅MOS。這更加確定了碳化硅功率器件在下一代電控系統中的核心和不可替代性地位。目前新的設計SiC模塊的設計方向是結構緊湊更緊湊，通過采用雙面銀燒結和銅線鍵合技術，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型銅基PinFin板、多信號監控的感應端子（焊接、壓接兼容）設計，努力往低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性等方向努力。通過好的設計和先進的工藝技術確保碳化硅MOSFET性能優勢在設備中得到**程度發揮。